用(Yong)户(Hu)名(Ming):
密(Mi)码(Ma):
验(Yan)证(Zheng)码(Ma):
创(Chuang)新(Xin)推(Tui)动(Dong)高(Gao)量(Liang)产(Chan)硅(Gui)光(Guang)400每(Mei)通(Tong)道(Dao)平(Ping)台(Tai)，(?)满(Man)足(Zu)下(Xia)一(Yi)代(Dai)3.2T光(Guang)通(Tong)信(Xin)架(Jia)构(Gou)需(Xu)求(Qiu)
ICC讯(Xun) 3月(Yue)12日(Ri)，(?)全(Quan)球(Qiu)定(Ding)制(Zhi)化(Hua)PASIC芯(Xin)片(Pian)设(She)计(Ji)与(Yu)制(Zhi)造(Zao)领(Ling)导(Dao)者(Zhe)OpenLight，(?)与(Yu)高(Gao)价(Jia)值(Zhi)模(Mo)拟(Ni)半(Ban)导(Dao)体(Ti)解(Jie)决(Jue)方(Fang)案(An)领(Ling)先(Xian)代(Dai)工(Gong)厂(Chang)Tower Semiconductor，(?)宣(Xuan)布(Bu)基(Ji)于(Yu)商(Shang)用(Yong)化(Hua)集(Ji)成(Cheng)硅(Gui)光(Guang)平(Ping)台(Tai)，(?)PH18DA成(Cheng)功(Gong)验(Yan)证(Zheng)了(Liao)400G每(Mei)通(Tong)道(Dao)调(Diao)制(Zhi)器(Qi)性(Xing)能(Neng)。(?)该(Gai)调(Diao)制(Zhi)器(Qi)采(Cai)用(Yong)行(Xing)业(Ye)标(Biao)准(Zhun)PAM-4调(Diao)制(Zhi)格(Ge)式(Shi)，(?)驱(Qu)动(Dong)电(Dian)压(Ya)峰(Feng)峰(Feng)值(Zhi)仅(Jin)需(Xu)0.6伏(Fu)，(?)消(Xiao)光(Guang)比(Bi)优(You)于(Yu)3.5分(Fen)贝(Bei)。(?)此(Ci)次(Ci)400G演(Yan)示(Shi)基(Ji)于(Yu)OpenLight的(De)硅(Gui)光(Guang)知(Zhi)识(Shi)产(Chan)权(Quan)（(?)IP）(?)，(?)并(Bing)采(Cai)用(Yong)Tower Semiconductor现(Xian)有(You)硅(Gui)光(Guang)平(Ping)台(Tai)实(Shi)现(Xian)流(Liu)片(Pian)（(?)该(Gai)平(Ping)台(Tai)已(Yi)支(Zhi)持(Chi)客(Ke)户(Hu)实(Shi)现(Xian)100G及(Ji)200G每(Mei)通(Tong)道(Dao)应(Ying)用(Yong)）(?)。(?)
此(Ci)次(Ci)集(Ji)成(Cheng)硅(Gui)光(Guang)技(Ji)术(Shu)Demo旨(Zhi)在(Zai)支(Zhi)持(Chi)下(Xia)一(Yi)代(Dai)400G每(Mei)通(Tong)道(Dao)的(De)光(Guang)通(Tong)信(Xin)架(Jia)构(Gou)，(?)提(Ti)供(Gong)从(Cong)100G、(?)200G到(Dao)400G的(De)可(Ke)扩(Kuo)展(Zhan)解(Jie)决(Jue)方(Fang)案(An)，(?)以(Yi)满(Man)足(Zu)云(Yun)计(Ji)算(Suan)、(?)人(Ren)工(Gong)智(Zhi)能(Neng)（(?)AI）(?)及(Ji)机(Ji)器(Qi)学(Xue)习(Xi)（(?)ML）(?)应(Ying)用(Yong)对(Dui)高(Gao)速(Su)数(Shu)据(Ju)传(Chuan)输(Shu)的(De)快(Kuai)速(Su)增(Zeng)长(Chang)需(Xu)求(Qiu)。(?)通(Tong)过(Guo)在(Zai)所(Suo)有(You)四(Si)个(Ge)粗(Cu)波(Bo)分(Fen)复(Fu)用(Yong)（(?)CWDM）(?)波(Bo)长(Chang)上(Shang)实(Shi)现(Xian)400G每(Mei)通(Tong)道(Dao)传(Chuan)输(Shu)，(?)该(Gai)技(Ji)术(Shu)为(Wei)下(Xia)一(Yi)代(Dai)3.2Tbps及(Ji)更(Geng)高(Gao)速(Su)率(Lu)的(De)DR8与(Yu)FR4解(Jie)决(Jue)方(Fang)案(An)提(Ti)供(Gong)了(Liao)商(Shang)业(Ye)化(Hua)可(Ke)行(Xing)路(Lu)径(Jing)。(?)
目(Mu)前(Qian)，(?)由(You)于(Yu)纯(Chun)硅(Gui)基(Ji)调(Diao)制(Zhi)器(Qi)无(Wu)法(Fa)支(Zhi)持(Chi)400G比(Bi)特(Te)率(Lu)，(?)使(Shi)得(De)业(Ye)界(Jie)迫(Po)切(Qie)需(Xu)要(Yao)一(Yi)种(Zhong)高(Gao)性(Xing)价(Jia)比(Bi)解(Jie)决(Jue)方(Fang)案(An)。(?)针(Zhen)对(Dui)数(Shu)据(Ju)中(Zhong)心(Xin)与(Yu)AI应(Ying)用(Yong)（(?)包(Bao)括(Kuo)线(Xian)性(Xing)直(Zhi)驱(Qu)LPO和(He)共(Gong)封(Feng)装(Zhuang)光(Guang)学(Xue)CPO）(?)，(?)基(Ji)于(Yu)异(Yi)构(Gou)集(Ji)成(Cheng)（(?)heterogeneous integration）(?)的(De)器(Qi)件(Jian)展(Zhan)现(Xian)出(Chu)显(Xian)著(Zhu)优(You)势(Shi)：(?)小(Xiao)尺(Chi)寸(Cun)、(?)高(Gao)带(Dai)宽(Kuan)、(?)低(Di)驱(Qu)动(Dong)电(Dian)压(Ya)，(?)并(Bing)可(Ke)在(Zai)硅(Gui)光(Guang)平(Ping)台(Tai)上(Shang)实(Shi)现(Xian)规(Gui)模(Mo)化(Hua)量(Liang)产(Chan)。(?)除(Chu)400G调(Diao)制(Zhi)器(Qi)的(De)异(Yi)构(Gou)集(Ji)成(Cheng)外(Wai)，(?)该(Gai)平(Ping)台(Tai)还(Huan)可(Ke)将(Jiang)激(Ji)光(Guang)器(Qi)、(?)光(Guang)放(Fang)大(Da)器(Qi)等(Deng)元(Yuan)件(Jian)在(Zai)密(Mi)集(Ji)光(Guang)子(Zi)集(Ji)成(Cheng)电(Dian)路(Lu)（(?)PIC）(?)中(Zhong)实(Shi)现(Xian)单(Dan)片(Pian)集(Ji)成(Cheng)，(?)兼(Jian)顾(Gu)成(Cheng)本(Ben)与(Yu)能(Neng)效(Xiao)。(?)
OpenLight首(Shou)席(Xi)执(Zhi)行(Xing)官(Guan)Dr. Adam Carter表(Biao)示(Shi)：(?)“(?)与(Yu)Tower Semiconductor的(De)合(He)作(Zuo)是(Shi)先(Xian)进(Jin)硅(Gui)光(Guang)技(Ji)术(Shu)融(Rong)入(Ru)数(Shu)据(Ju)中(Zhong)心(Xin)领(Ling)域(Yu)的(De)关(Guan)键(Jian)一(Yi)步(Bu)。(?)此(Ci)次(Ci)成(Cheng)功(Gong)验(Yan)证(Zheng)为(Wei)高(Gao)速(Su)网(Wang)络(Luo)技(Ji)术(Shu)的(De)突(Tu)破(Po)性(Xing)进(Jin)展(Zhan)奠(Dian)定(Ding)了(Liao)基(Ji)础(Chu)。(?)借(Jie)助(Zhu)现(Xian)有(You)200G异(Yi)构(Gou)调(Diao)制(Zhi)器(Qi)设(She)计(Ji)，(?)我(Wo)们(Men)助(Zhu)力(Li)客(Ke)户(Hu)实(Shi)现(Xian)PASIC设(She)计(Ji)从(Cong)100G、(?)200G到(Dao)400G每(Mei)通(Tong)道(Dao)的(De)平(Ping)滑(Hua)演(Yan)进(Jin)，(?)有(You)效(Xiao)缩(Suo)短(Duan)设(She)计(Ji)周(Zhou)期(Qi)、(?)布(Bu)局(Ju)优(You)化(Hua)及(Ji)上(Shang)市(Shi)时(Shi)间(Jian) —(?) 400G调(Diao)制(Zhi)器(Qi)可(Ke)直(Zhi)接(Jie)替(Ti)换(Huan)现(Xian)有(You)200G调(Diao)制(Zhi)器(Qi)PASIC设(She)计(Ji)。(?)采(Cai)用(Yong)相(Xiang)同(Tong)设(She)计(Ji)的(De)另(Ling)一(Yi)优(You)势(Shi)在(Zai)于(Yu)已(Yi)验(Yan)证(Zheng)的(De)高(Gao)可(Ke)靠(Kao)性(Xing)能(Neng)，(?)以(Yi)及(Ji)封(Feng)装(Zhuang)至(Zhi)集(Ji)成(Cheng)光(Guang)学(Xue)组(Zu)件(Jian)时(Shi)使(Shi)用(Yong)倒(Dao)装(Zhuang)（(?)flip-chip）(?)芯(Xin)片(Pian)工(Gong)艺(Yi)的(De)能(Neng)力(Li)。(?)”(?)
Tower Semiconductor首(Shou)席(Xi)执(Zhi)行(Xing)官(Guan)Russell Ellwanger表(Biao)示(Shi)：(?)“(?)我(Wo)们(Men)很(Hen)高(Gao)兴(Xing)与(Yu)OpenLight合(He)作(Zuo)，(?)利(Li)用(Yong)其(Qi)尖(Jian)端(Duan)硅(Gui)光(Guang)技(Ji)术(Shu)开(Kai)发(Fa)支(Zhi)持(Chi)400G/通(Tong)道(Dao)的(De)高(Gao)性(Xing)价(Jia)比(Bi)方(Fang)案(An)。(?)这(Zhe)是(Shi)对(Dui)现(Xian)有(You)PH18DA平(Ping)台(Tai)（(?)已(Yi)支(Zhi)持(Chi)100G及(Ji)200G/通(Tong)道(Dao)）(?)的(De)延(Yan)伸(Shen)，(?)现(Xian)可(Ke)为(Wei)400G/通(Tong)道(Dao)提(Ti)供(Gong)成(Cheng)熟(Shu)解(Jie)决(Jue)方(Fang)案(An)，(?)并(Bing)立(Li)即(Ji)开(Kai)放(Fang)客(Ke)户(Hu)原(Yuan)型(Xing)设(She)计(Ji)。(?)这(Zhe)是(Shi)为(Wei)下(Xia)一(Yi)代(Dai)光(Guang)通(Tong)信(Xin)技(Ji)术(Shu)提(Ti)供(Gong)可(Ke)扩(Kuo)展(Zhan)、(?)高(Gao)可(Ke)靠(Kao)、(?)高(Gao)性(Xing)能(Neng)且(Qie)可(Ke)量(Liang)产(Chan)解(Jie)决(Jue)方(Fang)案(An)的(De)重(Zhong)要(Yao)里(Li)程(Cheng)碑(Bei)。(?)通(Tong)过(Guo)采(Cai)用(Yong)高(Gao)塔(Ta)PH18DA平(Ping)台(Tai)，(?)此(Ci)次(Ci)合(He)作(Zuo)使(Shi)傲(Ao)光(Guang)科(Ke)技(Ji)的(De)异(Yi)构(Gou)集(Ji)成(Cheng)技(Ji)术(Shu)无(Wu)需(Xu)依(Yi)赖(Lai)薄(Bao)膜(Mo)铌(Ni)酸(Suan)锂(?)（(?)TFLN）(?)、(?)钛(Tai)酸(Suan)钡(Bei)（(?)BTO）(?)或(Huo)聚(Ju)合(He)物(Wu)等(Deng)复(Fu)杂(Za)昂(Ang)贵(Gui)替(Ti)代(Dai)方(Fang)案(An)，(?)即(Ji)可(Ke)实(Shi)现(Xian)向(Xiang)更(Geng)高(Gao)速(Su)率(Lu)的(De)安(An)全(Quan)过(Guo)渡(Du)。(?)”(?)
OpenLight和(He)Tower Semiconductor将(Jiang)出(Chu)席(Xi)4月(Yue)1-3日(Ri)在(Zai)美(Mei)国(Guo)旧(Jiu)金(Jin)山(Shan)举(Ju)办(Ban)的(De)OFC 2025，(?)OpenLight展(Zhan)位(Wei)号(Hao)# 4231，(?)Tower Semiconductor 展(Zhan)位(Wei)号(Hao)#3222。(?)